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FDS8672S中文资料N 沟道 PowerTrench® SyncFET™ 30V,18A,4.8mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS8672S

功能描述

N 沟道 PowerTrench® SyncFET™ 30V,18A,4.8mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 12:00:00

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FDS8672S规格书详情

描述 Description

FDS8672S设计用于替代同步DC/DC电源中的单一MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率,提供低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDS8672S包含由MOSFET与肖特基二极管单片集成的专利组合,该组合使用飞兆的单片SyncFET技术。

特性 Features

•VGS = 10V,ID = 18A时,rDS(on) = 4.8 mΩ(最大值)
•VGS = 4.5V,ID = 15A时,最大rDS(on) = 7.0 mΩ
•包含SyncFET肖特基体二极管
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)和快速开关
•高功率和高电流处理能力
•100%通过RG(栅极电阻)测试
•终端是符合RoHS标准的无铅产品

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Synchronous Rectifier for DC/DC Converters
• Notebook Vcore Low Side Switch
• Point of Load Low Side Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS8672S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :18

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :7

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :28

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :15

  • Ciss Typ (pF)

    :2005

  • Package Type

    :SOIC-8

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