FDS8672S数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDS8672S规格书详情
描述 Description
FDS8672S设计用于替代同步DC/DC电源中的单一MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDS8672S包含由MOSFET与肖特基二极管单片集成的专利组合，该组合使用飞兆的单片SyncFET技术。
特性 Features
•VGS = 10V，ID = 18A时，rDS(on) = 4.8 mΩ（最大值）
•VGS = 4.5V，ID = 15A时，最大rDS(on) = 7.0 mΩ
•包含SyncFET肖特基体二极管
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)和快速开关
•高功率和高电流处理能力
•100%通过RG（栅极电阻）测试
•终端是符合RoHS标准的无铅产品
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Synchronous Rectifier for DC/DC Converters
• Notebook Vcore Low Side Switch
• Point of Load Low Side Switch
技术参数
- 制造商编号
：FDS8672S
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：18
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：7
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：28
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：15
- Ciss Typ (pF)
：2005
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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