FDS8882中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,9A,20.0mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS8882规格书详情
描述 Description
FDS8882设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合,在保持卓越开关性能的同时,提供了最低的rDS(on)。
特性 Features
•VGS = 10V,ID = 9 A时,最大rDS(on) = 20.0mΩ
•VGS = 4.5 V,ID = 8 A时,最大rDS(on) = 22.5mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)和快速开关
•高功率和高电流处理能力
•终端无引线且符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Notebook System Regulators
• DC/DC Converters
技术参数
- 制造商编号
:FDS8882
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:30
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:9
- PD Max (W)
:2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:22.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:20
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:28
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:8
- Ciss Typ (pF)
:707
- Package Type
:SOIC-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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SOP-8 |
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ON/安森美 |
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