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FDS8882中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,9A,20.0mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS8882

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,9A,20.0mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 23:01:00

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FDS8882规格书详情

描述 Description

FDS8882设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合,在保持卓越开关性能的同时,提供了最低的rDS(on)。

特性 Features

•VGS = 10V,ID = 9 A时,最大rDS(on) = 20.0mΩ
•VGS = 4.5 V,ID = 8 A时,最大rDS(on) = 22.5mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)和快速开关
•高功率和高电流处理能力
•终端无引线且符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Notebook System Regulators
• DC/DC Converters

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS8882

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :9

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :22.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :20

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :28

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :8

  • Ciss Typ (pF)

    :707

  • Package Type

    :SOIC-8

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