Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET

General Description These dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state ressitance and yet maintain superior switching performance. These devic

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FAIRCHILD

仙童半导体

Dual N & P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET

Application « Reverse Battery protection « Load switch « Power management Motor Control « Portable Power Adaptors

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TECHPUBLIC

台舟电子

Dual N & P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，35V

这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 Q1： N沟道、7.0 A、35V\nRDS(ON) = 0.032 mΩ @ VGS = 4.5 VQ2： P沟道-5A，-35V\n快速开关速度\n符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体