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FDS8858CZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDS8858CZ

功能描述

双 N 和 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FDS8858CZ规格书详情

描述 Description

这些双N沟道和P沟道增强模式功率MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

特性 Features

• Q1: N沟道
• 最大值 RDS(on) = 17mΩ(VGS = 10V,ID = 8.6A)
• 最大值 RDS(on) = 20mΩ(VGS = 4.5V,ID = 7.3A)Q2: P沟道
• 最大值 RDS(on) = 20.5mΩ(VGS = 10V,ID = 7.3A)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Inverter
• Synchronous Buck

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS8858CZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :Complementary

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :±30

  • VGS Max (V)

    :25

  • VGS(th) Max (V)

    :±3

  • ID Max (A)

    :N: 8.6

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :N: 20.0

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :N: 1.0

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :15

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :33

  • Ciss Typ (pF)

    :1675

  • Package Type

    :SOIC-8

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