FDS8813NZ中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，18.5A，4.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS8813NZ规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。
特性 Features
•VGS = 10V，ID = 18.5A时，最大rDS(on) = 4.5 mΩ
•VGS = 4.5V，ID = 16A时，最大rDS(on) = 6.0 mΩ
•HBM静电放电保护等级，典型值为5.6KV（注3）
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDS8813NZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：18.5
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：6
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：28
- Ciss Typ (pF)
：3115
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOP8 |
79999 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
24+ |
SOIC-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+ |
SOP8 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
7000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
SOIC-8 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOP |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+ |
DIP-4 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOP |
29785 |
只做全新原装进口现货 |
询价 |
