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FDS8813NZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDS8813NZ

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,18.5A,4.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 20:00:00

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FDS8813NZ规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。

特性 Features

•VGS = 10V,ID = 18.5A时,最大rDS(on) = 4.5 mΩ
•VGS = 4.5V,ID = 16A时,最大rDS(on) = 6.0 mΩ
•HBM静电放电保护等级,典型值为5.6KV(注3)
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS8813NZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :18.5

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :6

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :28

  • Ciss Typ (pF)

    :3115

  • Package Type

    :SOIC-8

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