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FDS86141中文资料N 沟道 Power Trench® MOSFET 100V,7A,23mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS86141

功能描述

N 沟道 Power Trench® MOSFET 100V,7A,23mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 23:01:00

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FDS86141规格书详情

描述 Description

该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench™工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•VGS = 10 V,ID = 7 A时,最大rDS(on) = 23mΩ
•VGS = 6 V,ID = 5.5 A时,最大rDS(on) = 36 mΩ
• High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on)
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC-DC Conversion

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS86141

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :7

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :23

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6.7

  • Ciss Typ (pF)

    :703

  • Package Type

    :SOIC-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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