N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 7 A, 23 m?

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FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道 Power Trench® MOSFET 100V，7A，23mΩ

该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench™工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •VGS = 10 V，ID = 7 A时，最大rDS(on) = 23mΩ\n•VGS = 6 V，ID = 5.5 A时，最大rDS(on) = 36 mΩ\n• High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on)\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

Application LED Backlighting Synchronous Rectifiers for SMPS o Power management « PWM Application

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TECHPUBLIC

台舟电子

Complete Single and Dual-Channel Optical Data Acquisition System

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MAXIM

美信

Best-in-Class Optical Pulse Oximeter and Heart-Rate Sensor for Wearable Health

文件：1.10686 Mbytes 页数：89 Pages

MAXIM

美信