FDS86106中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，3.4A，105mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS86106规格书详情
描述 Description
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。
特性 Features
•VGS = 10 V，ID = 3.4 A时，最大rDS(on) = 105 mΩ
•VGS = 6 V，ID = 2.7 A时，rDS(on) = 171 mO（最大值）
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Synchronous Rectifier
• Primary Switch for Bridge Topology
技术参数
- 制造商编号
：FDS86106
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：3.4
- PD Max (W)
：5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：105
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.6
- Ciss Typ (pF)
：156
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
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ON/安森美 |
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SOP-8 |
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询价 | ||
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1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
23+ |
SOP8 |
7000 |
询价 | |||
ONSEMI/安森美 |
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SOP-8 |
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ON/安森美 |
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