N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 3.4 A, 105 m廓

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FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，3.4A，105mΩ

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。 •VGS = 10 V，ID = 3.4 A时，最大rDS(on) = 105 mΩ\n•VGS = 6 V，ID = 2.7 A时，rDS(on) = 171 mO（最大值）\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

Application LED Backlighting Synchronous Rectifiers for SMPS o Power management « PWM Application

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TECHPUBLIC

台舟电子

N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 3.2 A, 108 m Ohm

文件：360.14 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体