N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，3.2A，108mΩ

这一N沟道逻辑电平MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。 •VGS = 10 V，ID = 3.2 A时，最大rDS(on) = 108 mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 2.7 A时，最大rDS(on) = 153 mΩ\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力\n•HBM静电放电保护等级为>3 KV，典型值（注4）\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 3.2 A, 108 m Ohm

文件：360.14 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 7.5 A, 103 m廓

文件：323.89 Kbytes 页数：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100 V, 7.5 A, 103 m廓

文件：278.67 Kbytes 页数：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 3.4 A, 105 m廓

文件：262.81 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体