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FDT86106LZ数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDT86106LZ规格书详情
描述 Description
这一N沟道逻辑电平MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
特性 Features
•VGS = 10 V，ID = 3.2 A时，最大rDS(on) = 108 mΩ
•VGS = 4.5 V，ID = 2.7 A时，最大rDS(on) = 153 mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
•HBM静电放电保护等级为>3 KV，典型值（注4）
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC-DC Conversion
技术参数
- 制造商编号
：FDT86106LZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2.2
- ID Max (A)
：3.2
- PD Max (W)
：2.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：153
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：108
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.4
- Ciss Typ (pF)
：234
- Package Type
：SOT-223-4/TO-261-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
56000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-223 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-223 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-223 |
34907 |
FAIRCHILD/仙童全新特价FDT86106LZ即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOT223 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1836+ |
SOT223 |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
SOT223 |
1675 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
12+ |
SOT223 |
14500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
13+P |
SOT-223 |
4977 |
询价 |
