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FDT458P中文资料-30V P沟道PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDT458P

功能描述

-30V P沟道PowerTrench® MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 16:04:00

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FDT458P规格书详情

描述 Description

该P沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计,采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器及电池充电器。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比,这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。

特性 Features

•3.4 A, -30 V
•RDS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = 4.5 V
•快速开关速度
•低栅极电荷(2.5nC典型值)
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•采用广泛使用的表面贴装封装,具有高功率和高电流处理能力

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Battery Charging Circuit
• Motor Drives

技术参数

  • 制造商编号

    :FDT458P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-3.4

  • PD Max (W)

    :3

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :200

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :130

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :2.5

  • Ciss Typ (pF)

    :205

  • Package Type

    :SOT-223-4/TO-261-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
2019+
SOT-223
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