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FDT434P数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDT434P

功能描述

P 沟道,2.5V 指定,PowerTrench™ MOSFET,-20V,-5.5A,50mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:25:00

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FDT434P规格书详情

描述 Description

此N沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。

特性 Features

-5.5 A,-20 V。 RDS(on) = 0.050 Ω @ VGS = -4.5 V, RDS(on) = 0.070 Ω @ VGS = -2.5 V
低栅极电荷(典型值13 nC)
高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。
高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装。

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.Low Dropout RegulatorDC/DC ConvertersLoad SwitchMotor Drives

技术参数

  • 制造商编号

    :FDT434P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET -20V

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1

  • ID Max (A)

    :-5.5

  • PD Max (W)

    :3

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :70

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :50

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :4.2

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :13

  • Ciss Typ (pF)

    :1187

  • Package Type

    :SOT-223-4 / TO-261-4

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