P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Features • –5.5 A,

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Fairchild

仙童半导体

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench??MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

P-Channel 35 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-5.5A，50mΩ

此N沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 -5.5 A，-20 V。 RDS(on) = 0.050 Ω @ VGS = -4.5 V, RDS(on) = 0.070 Ω @ VGS = -2.5 V\n 低栅极电荷（典型值13 nC）\n 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。\n 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装。;

ONSEMI

安森美半导体