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FDSS2407数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDSS2407

功能描述

N 沟道逻辑电平门极双 MOSFET 60V,3.3A,132mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FDSS2407规格书详情

描述 Description

与传统功率MOSFET相比,这种双N沟道MOSFET提供了新增的功能。 这些功能有: 1. 一个漏极至源极的电压反馈信号。2. 以前需要外部分立式电路的栅极驱动禁用控制功能。 在MOSFET中包含这些功能可以节省印刷电路板空间。 漏极-源极电压反馈功能可在漏极-源极电压高于62V的情况下提供5V的电平输出。 这样可以监控感性负载耗散其存储能量所花费的时间。 可通过“OR'd”接线方式将多个反馈信号一起连接到单个监控电路输入。 通过栅极禁用功能可以独立于栅极中的驱动信号来关闭器件。 此功能使得第二个控制电路能够在必要情况下禁用负载。 也可以通过“OR'd”方式接线,这样即可利用单个开路集电极/漏极控制晶体管来控制多个器件。

特性 Features

•62V,132m,5V逻辑电平栅极双MOSFET,采用SO-8封装 可通过\"OR'd\"接线方式将多个器件连接到单个监控电路输入。
•栅极驱动禁用输入。 可利用单个禁用晶体管来控制多个器件。
•符合 AEC Q101 标准
•Qualified to AEC Q101

应用 Application

• 传动系
• Automotive Injector Driver
• Solenoid Driver

技术参数

  • 制造商编号

    :FDSS2407

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :62

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :3.3

  • PD Max (W)

    :2.27

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1: 132.0. Q2: 132.0

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1: 110.0

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :13

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :3.3

  • Ciss Typ (pF)

    :300

  • Package Type

    :SOIC-8

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