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FDT1600N10ALZ数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDT1600N10ALZ规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• RDS(on) = 121 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V, ID = 2.8 A
• RDS(on) = 156 mΩ (典型值)@ VGS = 5 V, ID = 1.8 A
• 快速开关速度
•低栅极电荷（典型值2.9nC）
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
• 高功率和高电流处理能力
•符合RoHS标准
应用 Application
• LED 电视
• 消费型设备
• Synchronous Rectification
• Uninterruptible Power Supplies
• Micro Solar Inverters
技术参数
- 制造商编号
：FDT1600N10ALZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2.8
- ID Max (A)
：5.6
- PD Max (W)
：10.42
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：160
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.9
- Ciss Typ (pF)
：169
- Package Type
：SOT-223-4/TO-261-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
21+ |
SOT223 |
19600 |
一站式BOM配单 |
询价 | ||
安森美/ON |
22+ |
SOT223-3L |
26497 |
原装正品现货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
VBSEMI |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 | ||
VBsemi |
23+ |
SOT223 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
CCSEMI/芯能圆 |
24+ |
SOT-223 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25 |
6000 |
原装正品 |
询价 | |||
ON |
2023+ |
SOT-223 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 |
