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FDT1600N10ALZ	文件：291.9 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 5.6 A, 160 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDT1600N10ALZ	文件：977.66 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
FDD1600N10ALZ	文件：1.04946 Mbytes Page：10 Pages	ConsumerAppliances	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD1600N10ALZ	文件：624.46 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelMOSFET Features •LowGateCharge(Typ.2.78nC) •FastSwitching •Improveddv/dtCapability •RoHSCompliant •VDS=100V •RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWUMW 友台友台半导体
FDD1600N10ALZD	文件：842.41 Kbytes Page：12 Pages	BoostPak(N-ChannelPowerTrench짰MOSFETDiode)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

详细参数

型号：
FDT1600N10ALZ
功能描述：
MOSFET 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDT1600N10ALZ供应商更新时间2024-4-27 13:40:00

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