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FDW262P	文件：87.82 Kbytes Page：5 Pages	20V P-Channel PowerTrench MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •–4.5A,–20V.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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详细参数

型号：
FDW262P
功能描述：
MOSFET 20V PCh MOSFET Power Trench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDW262P供应商更新时间2025-5-16 17:14:00

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