共漏极，N 沟道 2.5 V PowerTrench® WL-CSP MOSFET 24V，7A，23mΩ

此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。 FDZ1416NZ采用飞兆先进的PowerTrench®工艺和最新“低间距”WLCSP封装工艺设计而成，具有两个共用漏极N沟道MOSFET，可提供双向电流，最大限度地减小了PCB空间和rS1S2(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)融合为一体。 •VGS = 4.5 V，ID = 1 A时，最大rS1S2(on) = 23mΩ\n•VGS = 4 V，ID = 1 A时，最大rS1S2(on) = 25mΩ\n•VGS = 3.1 V，ID = 1 A时，最大rS1S2(on) = 28mΩ\n•VGS = 2.5 V，ID = 1 A时，最大rS1S2(on) = 33mΩ\n•只占用2.2 mm2的PCB面积\n•超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.35 mm\n•高功率和高电流处理能力\n•HBM静电放电保护等级为>3.2kV（注3）\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

FERRITE SHIELDED INDUCTORS

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FIBER DUCT KIT

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Low Cost, Miniature Fiber Optic Components with ST, SMA, SC and FC Ports

Description The HFBR-0400 Series of components is designed to provide cost effective, high performance fiber optic communication links for information systems and industrial applications with link distances of up to 4 kilometers. With the HFBR-24X6, the 125 MHz analog receiver, data rates of up t

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HP

安捷伦