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FDZ1416NZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDZ1416NZ

功能描述

共漏极,N 沟道 2.5 V PowerTrench® WL-CSP MOSFET 24V,7A,23mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 11:57:00

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FDZ1416NZ规格书详情

描述 Description

此器件特别设计为一个单封装解决方案,以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。 FDZ1416NZ采用飞兆先进的PowerTrench®工艺和最新“低间距”WLCSP封装工艺设计而成,具有两个共用漏极N沟道MOSFET,可提供双向电流,最大限度地减小了PCB空间和rS1S2(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展,使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)融合为一体。

特性 Features

•VGS = 4.5 V,ID = 1 A时,最大rS1S2(on) = 23mΩ
•VGS = 4 V,ID = 1 A时,最大rS1S2(on) = 25mΩ
•VGS = 3.1 V,ID = 1 A时,最大rS1S2(on) = 28mΩ
•VGS = 2.5 V,ID = 1 A时,最大rS1S2(on) = 33mΩ
•只占用2.2 mm2的PCB面积
•超薄封装: 安装至PCB时,高度小于0.35 mm
•高功率和高电流处理能力
•HBM静电放电保护等级为>3.2kV(注3)
•符合RoHS标准

应用 Application

• 手机
• Battery Management
• Load Switch
• Battery Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :FDZ1416NZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual Common Drain

  • V(BR)DSS Min (V)

    :24

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.3

  • ID Max (A)

    :7

  • PD Max (W)

    :1.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=33

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=23

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12

  • Ciss Typ (pF)

    :1140

  • Package Type

    :WLCSP-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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