FDZ1416NZ中文资料共漏极，N 沟道 2.5 V PowerTrench® WL-CSP MOSFET 24V，7A，23mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDZ1416NZ规格书详情
描述 Description
此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。 FDZ1416NZ采用飞兆先进的PowerTrench®工艺和最新“低间距”WLCSP封装工艺设计而成，具有两个共用漏极N沟道MOSFET，可提供双向电流，最大限度地减小了PCB空间和rS1S2(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)融合为一体。
特性 Features
•VGS = 4.5 V，ID = 1 A时，最大rS1S2(on) = 23mΩ
•VGS = 4 V，ID = 1 A时，最大rS1S2(on) = 25mΩ
•VGS = 3.1 V，ID = 1 A时，最大rS1S2(on) = 28mΩ
•VGS = 2.5 V，ID = 1 A时，最大rS1S2(on) = 33mΩ
•只占用2.2 mm2的PCB面积
•超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.35 mm
•高功率和高电流处理能力
•HBM静电放电保护等级为>3.2kV（注3）
•符合RoHS标准
应用 Application
• 手机
• Battery Management
• Load Switch
• Battery Protection
技术参数
- 制造商编号
：FDZ1416NZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual Common Drain
- V(BR)DSS Min (V)
：24
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1.3
- ID Max (A)
：7
- PD Max (W)
：1.7
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=33
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=23
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：12
- Ciss Typ (pF)
：1140
- Package Type
：WLCSP-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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