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FDY4000CZ中文资料互补,N 和 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDY4000CZ

功能描述

互补,N 和 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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FDY4000CZ规格书详情

描述 Description

该互补型N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺设计,优化了RDS(ON)(VGS=2.5V)并且指定RDS(ON)(VGS = 1.8V)。

特性 Features

• Q1: N沟道
• 最大值 rDS(on) = 0.7m(VGS = 4.5V, ID = 600A)
• ESD保护二极管
• 符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Level Shifting
• Power Supply Converter Circuits
• Load/Power Switching Cell Phones, Pagers

技术参数

  • 制造商编号

    :FDY4000CZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :Complementary

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :±20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :±1.5

  • ID Max (A)

    :N: 0.6

  • PD Max (W)

    :0.625

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :N: 850

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :N: 7000

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :1

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :1

  • Ciss Typ (pF)

    :100

  • Package Type

    :SOT-563

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