FDY300NZ中文资料N 沟道，2.5V 指定，PowerTrench® MOSFET，20V，0.6A，0.7Ω数据手册ONSEMI规格书

厂商型号	FDY300NZ
功能描述	N 沟道，2.5V 指定，PowerTrench® MOSFET，20V，0.6A，0.7Ω
制造商	ONSEMI ON Semiconductor
中文名称	安森美半导体
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-26 20:52:00
人工找货	FDY300NZ价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

描述 Description

此单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计，用以优化RDS(ON) @ VGS = 2.5v。

特性 Features

•600 mA，20 V
•RDS(ON) = 700 mΩ @ VGS = 4.5 V
•RDS(ON) = 850 mΩ @ VGS = 2.5 V
• ESD Protection Diode (note 3)
• RoHS Compliant

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Li-Ion Battery Pack

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