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FDY3000NZ中文资料双 N 沟道,2.5V 指定,PowerTrench™ MOSFET,20V,0.6A,700mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDY3000NZ

功能描述

双 N 沟道,2.5V 指定,PowerTrench™ MOSFET,20V,0.6A,700mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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FDY3000NZ规格书详情

描述 Description

此双N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计,可优化RDS(ON) @ VGS = 2.5v。

特性 Features

•600 mA,20 V
•RDS(ON) = 700 mΩ@ VGS = 4.5 V
•RDS(ON) = 850 mΩ @ VGS = 2.5 V
•静电放电(ESD)保护二极管(注3)
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Li-Ion Battery Pack

技术参数

  • 制造商编号

    :FDY3000NZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.3

  • ID Max (A)

    :0.6

  • PD Max (W)

    :0.625

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=850

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=700

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :0.8

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :0.8

  • Ciss Typ (pF)

    :60

  • Package Type

    :SOT-563

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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