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FDY3000NZ	文件：122.55 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 文件：122.55 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDY3000NZ	文件：378.37 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 文件：378.37 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDY3000NZ_07	文件：378.37 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 文件：378.37 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDY3000NZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 N 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，20V，0.6A，700mΩ 此双N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计，可优化RDS(ON) @ VGS = 2.5v。 •600 mA，20 V\n•RDS(ON) = 700 mΩ@ VGS = 4.5 V\n•RDS(ON) = 850 mΩ @ VGS = 2.5 V\n•静电放电(ESD)保护二极管（注3）\n•符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
20
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
0.6
PD Max (W)：
0.625
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=850
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=700
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
0.8
Ciss Typ (pF)：
60
Package Type：
SOT-563

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更多FDY3000NZ供应商更新时间2026-4-18 16:01:00

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