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FDY102PZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDY102PZ

功能描述

P 沟道 (-1.5V) 指定 PowerTrench® MOSFET -20V,-0.83A,0.5Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 20:16:00

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FDY102PZ规格书详情

描述 Description

此单P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成,优化了DS(on)@VGS = –1.5 V。

特性 Features

•VGS = -4.5 V,ID = -0.83 A时,最大rDS(on) = 0.5Ω
•VGS = -2.5 V,ID = -0.70 A时,最大rDS(on) = 0.7Ω
•VGS = -1.8 V,ID = -0.43 A时,最大rDS(on) = 1.2Ω
•VGS = -1.5 V,ID = -0.36 A时,最大rDS(on) = 1.8Ω
•HBM ESD保护等级 = 1400kV (注3)
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDY102PZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1

  • ID Max (A)

    :-0.83

  • PD Max (W)

    :0.625

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :700

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :500

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :0.8

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :2.2

  • Ciss Typ (pF)

    :100

  • Package Type

    :SOT-523FL

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