FDY101PZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

厂商型号	FDY101PZ
功能描述	P 沟道，-2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-0.15A，8Ω
制造商	ONSEMI ON Semiconductor
中文名称	安森美半导体安森美半导体公司
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-7 23:00:00
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描述 Description

此单P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，优化了RDS(ON) @ VGS = -2.5v。

特性 Features

•-150 mA，20 V
•RDS(ON) = 8 Ω @ VGS = -4.5 V
•RDS(ON) = 12 Ω @ VGS = -2.5 V
•静电放电(ESD)保护二极管（注3）
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Li-Ion Battery Pack

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