FDY101PZ中文资料P 沟道，-2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-0.15A，8Ω数据手册ONSEMI规格书
FDY101PZ规格书详情
描述 Description
此单P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，优化了RDS(ON) @ VGS = -2.5v。
特性 Features
•-150 mA，20 V
•RDS(ON) = 8 Ω @ VGS = -4.5 V
•RDS(ON) = 12 Ω @ VGS = -2.5 V
•静电放电(ESD)保护二极管（注3）
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Li-Ion Battery Pack
技术参数
- 制造商编号
：FDY101PZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-0.15
- PD Max (W)
：0.625
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：12000
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：8000
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：0.8
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1
- Ciss Typ (pF)
：100
- Package Type
：SOT-523FL
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
SOT-523 |
100586 |
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ONSEMI/安森美 |
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SOT-523FL |
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