FDY2000PZ中文资料双 P 沟道,指定,PowerTrench® MOSFET,-20V,-0.35A,1.2Ω数据手册ONSEMI规格书
FDY2000PZ规格书详情
描述 Description
此双P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成,优化了RDS(ON) @ VGS = -2.5v。
特性 Features
•-350 mA,-20 V
•RDS(ON) = 1.2 Ω @ VGS = - 4.5 V
•RDS(ON) = 1.6 Ω @ VGS = - 2.5 V
•静电放电(ESD)保护二极管(注3)
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Li-Ion Battery Pack
技术参数
- 制造商编号
:FDY2000PZ
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Dual
- V(BR)DSS Min (V)
:-20
- VGS Max (V)
:8
- VGS(th) Max (V)
:-1.5
- ID Max (A)
:-0.35
- PD Max (W)
:0.625
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:Q1=Q2=1600
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:Q1=Q2=1200
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:1
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:1
- Ciss Typ (pF)
:100
- Package Type
:SOT-563
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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