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FDY2000PZ中文资料双 P 沟道,指定,PowerTrench® MOSFET,-20V,-0.35A,1.2Ω数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDY2000PZ

功能描述

双 P 沟道,指定,PowerTrench® MOSFET,-20V,-0.35A,1.2Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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FDY2000PZ规格书详情

描述 Description

此双P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成,优化了RDS(ON) @ VGS = -2.5v。

特性 Features

•-350 mA,-20 V
•RDS(ON) = 1.2 Ω @ VGS = - 4.5 V
•RDS(ON) = 1.6 Ω @ VGS = - 2.5 V
•静电放电(ESD)保护二极管(注3)
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Li-Ion Battery Pack

技术参数

  • 制造商编号

    :FDY2000PZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-0.35

  • PD Max (W)

    :0.625

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=1600

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=1200

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :1

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :1

  • Ciss Typ (pF)

    :100

  • Package Type

    :SOT-563

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