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FDY2000PZ

双 P 沟道,指定,PowerTrench® MOSFET,-20V,-0.35A,1.2Ω; •-350 mA,-20 V\n•RDS(ON) = 1.2 Ω @ VGS = - 4.5 V\n•RDS(ON) = 1.6 Ω @ VGS = - 2.5 V\n•静电放电(ESD)保护二极管(注3)\n•符合RoHS标准\n;

此双P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成,优化了RDS(ON) @ VGS = -2.5v。

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FDY2000PZ

Dual P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrenchR MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FE-2000CW

Cat5WideBandExtender

FujitsuFujitsu Component Limited.

富士通富士通株式会社

FLP-2000

LOWPASSFILTER

MARKIMICROWAVEMarki Microwave

马基马基微波

FM2000

SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDSILICONRECTIFIERVOLTAGE2000VoltsCURRENT1.0Ampere

RECTRON

Rectron Semiconductor

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    -20

  • VGS Max (V):

    8

  • VGS(th) Max (V):

    -1.5

  • ID Max (A):

    -0.35

  • PD Max (W):

    0.625

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=1600

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=1200

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    1

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    1

  • Ciss Typ (pF):

    100

  • Package Type:

    SOT-563

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更多FDY2000PZ供应商 更新时间2025-7-30 10:12:00