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FDY2000PZ

双 P 沟道,指定,PowerTrench® MOSFET,-20V,-0.35A,1.2Ω

此双P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成,优化了RDS(ON) @ VGS = -2.5v。 •-350 mA,-20 V\n•RDS(ON) = 1.2 Ω @ VGS = - 4.5 V\n•RDS(ON) = 1.6 Ω @ VGS = - 2.5 V\n•静电放电(ESD)保护二极管(注3)\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDY2000PZ

Dual P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrenchR MOSFET

文件:204.34 Kbytes 页数:6 Pages

Fairchild

仙童半导体

FE-2000CW

Cat5 Wide Band Extender

文件:387.26 Kbytes 页数:6 Pages

Fujitsu

富士通

FLP-2000

LOWPASS FILTER

文件:458.86 Kbytes 页数:2 Pages

MARKIMICROWAVE

FM2000

SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER VOLTAGE 2000 Volts CURRENT 1.0 Ampere

文件:176.18 Kbytes 页数:6 Pages

RECTRON

丽正国际

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    -20

  • VGS Max (V):

    8

  • VGS(th) Max (V):

    -1.5

  • ID Max (A):

    -0.35

  • PD Max (W):

    0.625

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=1600

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=1200

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    1

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    1

  • Ciss Typ (pF):

    100

  • Package Type:

    SOT-563

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更多FDY2000PZ供应商 更新时间2025-12-4 18:08:00