FDZ1323NZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。 FDZ1323NZ 采用飞兆先进的 PowerTrench®工艺和最新“低间距”WLCSP封装工艺设计而成，具有两个共用漏极N沟道MOSFET，可提供双向电流，最大限度地减小了 PCB 空间和 rS1S2(on)。此先进的 WLCSP MOSFET 彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低 rS1S2(on)融合为一体。

特性 Features

•最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 4.5 V, IS1S2 = 1 A 时）
•最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 4 V, IS1S2 = 1 A 时）
•最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 3.8 V, IS1S2 = 1 A 时）
•最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.7 V, IS1S2 = 1 A 时）
•最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.1 V, IS1S2 = 1 A 时）
•最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.1 V, IS1S2 = 1 A 时）
•只占用 3 mm2的 PCB 面积
•超薄封装：安装到 PCB 时高度小于 0.35 毫米
•高功率和高电流处理能力
•HBM 静电放电保护等级 > 3.6 kV（注3）
•符合RoHS标准

应用 Application

• 手机
• Battery Management
• Load Switch
• Battery Protection