FDY1002PZ中文资料双 P 沟道，(-1.5 V) 指定，PowerTrench® MOSFET，-20V，-0.83A，0.5Ω数据手册ONSEMI规格书
FDY1002PZ规格书详情
描述 Description
此双P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，优化了DS(on)@VGS = –1.5 V。
特性 Features
•VGS = -4.5 V，ID = -0.83 A时，最大rDS(on) = 0.5Ω
•VGS = –2.5 V，ID = –0.70 A时，最大rDS(on) = 0.7 Ω
•VGS = –1.8 V，ID = –0.43 A时，最大rDS(on) = 1.2 Ω
•VGS = –1.5 V，ID = –0.36 A时，最大rDS(on) = 1.8 Ω
•HBM ESD保护等级 = 1400kV （注3）
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Li-Ion Battery Pack
技术参数
- 制造商编号
：FDY1002PZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：-1
- ID Max (A)
：-0.83
- PD Max (W)
：0.625
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：0.7
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：0.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：0.8
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.2
- Ciss Typ (pF)
：100
- Package Type
：SOT-563
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SOT-563 |
33000 |
代理货源假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-563 |
9370 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON |
21+ |
SOT563 |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
24+ |
NA |
30000 |
原装现货,专业配单专家 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT563 |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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ON/安森美 |
24+ |
SC89-6 |
12000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SC89-6 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
20+ |
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