FDY302NZ中文资料N 沟道 2.5V 额定 PowerTrench® MOSFET 20V，0.6A，0.3Ω数据手册ONSEMI规格书
FDY302NZ规格书详情
描述 Description
此单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计，用以优化RDS(ON) @ VGS = 2.5V。
特性 Features
•
• 600 mA，20 V
• RDS(ON) = 300 mΩ @ VGS = 4.5 V
• RDS(ON) = 500 mΩ @ VGS = 2.5 V
• 静电放电(ESD)保护二极管（注3）
• 符合 RoHS 标准
• ESD Protection Diode (note 3)
• RoHS Compliant
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Li-Ion Battery Pack
技术参数
- 制造商编号
：FDY302NZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1.5
- ID Max (A)
：0.6
- PD Max (W)
：0.625
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：500
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：300
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：0.8
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：0.8
- Ciss Typ (pF)
：60
- Package Type
：SOT-523FL
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT-523FL |
32000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOT236 |
990000 |
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VBsemi |
21+ |
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ON |
24+ |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOT236 |
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ON/安森美 |
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N/A |
99000 |
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Fairchild |
23+ |
NA |
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ON/安森美 |
21+ |
SMD |
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