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FDY302NZ

FDY302NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench짰 MOSFET

文件:218.78 Kbytes 页数:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDY302NZ-TP

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features © Vos=20Vb=08A Roson=250mQ @ Vos=4.5V (typ) Roson = 300m0@ Ves=2.5V (typ) * ESD Protection

文件:915.38 Kbytes 页数:3 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

FDY302NZ

N 沟道 2.5V 额定 PowerTrench® MOSFET 20V,0.6A,0.3Ω

此单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计,用以优化RDS(ON) @ VGS = 2.5V。 • • 600 mA,20 V\n• RDS(ON) = 300 mΩ @ VGS = 4.5 V\n• RDS(ON) = 500 mΩ @ VGS = 2.5 V• 静电放电(ESD)保护二极管(注3)• 符合 RoHS 标准\n• ESD Protection Diode (note 3)\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

HER302

HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(3.0A,50-400V)

High Efficiency Rectifiers

文件:125.64 Kbytes 页数:2 Pages

MOSPEC

统懋

LNG302GPU

Direct Joint Type

文件:31.83 Kbytes 页数:1 Pages

PANASONIC

松下

SR302

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(3.0A,20-60V)

文件:232.93 Kbytes 页数:3 Pages

MOSPEC

统懋

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    20

  • VGS Max (V):

    12

  • VGS(th) Max (V):

    1.5

  • ID Max (A):

    0.6

  • PD Max (W):

    0.625

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    500

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    300

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    0.8

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    0.8

  • Ciss Typ (pF):

    60

  • Package Type:

    SOT-523FL

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDY302NZ供应商 更新时间2026-4-20 17:12:00