Common Drain P-Channel 1.5V PowerTrench짰 WL-CSP MOSFET -20V -3A, 123m廓

General Description This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It features two common drain P-channel MOSFETs, which enables bidirectional current flow, on Fairchild’s advanced 1.5V Pow

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FAIRCHILD

仙童半导体

共漏极 P 沟道 1.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET -20V，-3A，123mΩ

该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 FDZ1905PZ采用飞兆先进的1.5V PowerTrench®工艺和最新¡°低间距¡± WL-CSP封装工艺设计而成，具有两个共用漏极P沟道MOSFET，可提供双向电流，最大限度地减小了PCB空间和rS1S2(on)。 先进的WL-CSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)融合为一体。 •最大 rS1S2(on) = 126mΩ（VGS = -4.5V，IS1S2 = -1A 时）\n•最大 rS1S2(on) = 141mΩ（VGS = -2.5V，IS1S2 = -1A 时）\n•最大 rS1S2(on) = 198mΩ（VGS = -1.8V，IS1S2 = -1A 时）\n•最大rS1S2(on) = 303mΩ（VGS = -1.5V，IS1S2 = -1A 时）\n•仅占1.5mm²的PCB空间，比2 x 2 BGA所占空间少50%\n•超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.65 mm\n•高功率和高电流处理能力\n•HBM静电放电保护等级为>4kV（注;

ONSEMI

安森美半导体

6횞4 dot matrix LCD driver IC

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FUMAN

富满微

HIGH RELIABILITY FOR LOW COST

FEATURES - HIGH RELIABILITY FOR LOW COST - WIDE FREQUENCY RANGE - EXCELLENT ATTENUATION BEHAVIOUR

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PETERMANN

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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KEXIN

科信电子