FDZ1905PZ中文资料共漏极 P 沟道 1.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET -20V，-3A，123mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 FDZ1905PZ采用飞兆先进的1.5V PowerTrench®工艺和最新¡°低间距¡± WL-CSP封装工艺设计而成，具有两个共用漏极P沟道MOSFET，可提供双向电流，最大限度地减小了PCB空间和rS1S2(on)。 先进的WL-CSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)融合为一体。

特性 Features

•最大 rS1S2(on) = 126mΩ（VGS = -4.5V，IS1S2 = -1A 时）
•最大 rS1S2(on) = 141mΩ（VGS = -2.5V，IS1S2 = -1A 时）
•最大 rS1S2(on) = 198mΩ（VGS = -1.8V，IS1S2 = -1A 时）
•最大rS1S2(on) = 303mΩ（VGS = -1.5V，IS1S2 = -1A 时）
•仅占1.5mm²的PCB空间，比2 x 2 BGA所占空间少50%
•超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.65 mm
•高功率和高电流处理能力
•HBM静电放电保护等级为>4kV（注3）
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Battery Management
• Load Switch
• Battery Protection