FDY301NZ中文资料N 沟道 2.5V 指定 PowerTrench® MOSFET 20V，0.2A，5Ω数据手册ONSEMI规格书

厂商型号	FDY301NZ
功能描述	N 沟道 2.5V 指定 PowerTrench® MOSFET 20V，0.2A，5Ω
制造商	ONSEMI ON Semiconductor
中文名称	安森美半导体
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-26 20:00:00
人工找货	FDY301NZ价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

描述 Description

此单N沟道MOSFET采用飞兆半导体的高级Power Trench工艺设计而成，用于优化RDS(ON) @ VGS = 2.5v。

特性 Features

•200 mA、20 V
•RDS(ON) = 5 Ω @ VGS = 4.5 V
•RDS(ON) = 7 Ω @ VGS = 2.5 V
•静电放电(ESD)保护二极管（注3）
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Li-Ion Battery Pack

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