P-Channel 1.7V PowerTrench WL-CSP MOSFET -20V, -1A, 90mohm

General Description Designed on Fairchilds advanced 1.7V PowerTrench® process with state of the art low pitch WLCSP packaging process, the FDZ193P minimizes both PCB space and rDS(on). This advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine e

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FAIRCHILD

仙童半导体

P 沟道，1.7V PowerTrench® WL-CSP MOSFET，-20V，-1A，90mΩ

FDZ193P采用飞兆先进的1.7 V PowerTrench®工艺和最新“低间距”WLCSP封装工艺设计，可最大限度地减小PCB空间和rDS(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rDS(on)融合为一体。 •VGS = -4.5V，ID = -1A时，rDS(on) = 90 mΩ（最大值）\n•VGS = -2.5V，ID = -1A时，rDS(on) = 130 mΩ（最大值）\n•VGS = -1.7V，ID = -1A时，最大rDS(on) = 300mΩ\n•仅占1.5mm²的PCB空间，比2 x 2 BGA所占空间少50%\n•超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.65 mm\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

Low Power Low Offset Voltage Dual Comparators

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国半

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