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FDZ193P中文资料P 沟道,1.7V PowerTrench® WL-CSP MOSFET,-20V,-1A,90mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDZ193P

功能描述

P 沟道,1.7V PowerTrench® WL-CSP MOSFET,-20V,-1A,90mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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FDZ193P规格书详情

描述 Description

FDZ193P采用飞兆先进的1.7 V PowerTrench®工艺和最新“低间距”WLCSP封装工艺设计,可最大限度地减小PCB空间和rDS(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展,使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rDS(on)融合为一体。

特性 Features

•VGS = -4.5V,ID = -1A时,rDS(on) = 90 mΩ(最大值)
•VGS = -2.5V,ID = -1A时,rDS(on) = 130 mΩ(最大值)
•VGS = -1.7V,ID = -1A时,最大rDS(on) = 300mΩ
•仅占1.5mm²的PCB空间,比2 x 2 BGA所占空间少50%
•超薄封装: 安装至PCB时,高度小于0.65 mm
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Battery Management
• Load Switch
• Battery Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :FDZ193P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-1

  • PD Max (W)

    :1.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :130

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :90

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :90

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :12

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7

  • Ciss Typ (pF)

    :660

  • Package Type

    :WLCSP-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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