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FDT457N数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDT457N

功能描述

N 沟道增强型场效应晶体管 30V,5A,60mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FDT457N规格书详情

描述 Description

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能而定制的。 此类产品非常适合低电压、低电流应用,例如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和DC电机控制。

特性 Features

•5 A,30 V。 RDS(ON) = 0.06 Ω @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.090 Ω @ VGS = 4.5 V
•高密度设计可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDT457N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :5

  • PD Max (W)

    :3

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :90

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :60

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :4.2

  • Ciss Typ (pF)

    :235

  • Package Type

    :SOT-223-4/TO-261-4

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