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FDT86102LZ数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDT86102LZ规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
特性 Features
•VGS = 10 V，ID = 6.6 A时，最大rDS(on) = 28 mΩ
•VGS = 4.5 V，ID = 5.5 A时，最大rDS(on) = 38 mΩ
•HBM ESD保护等级> 6 KV典型值（注4）
•与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC-DC Conversion
• Inverter
• Synchronous Rectifier
技术参数
- 制造商编号
：FDT86102LZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：6.6
- PD Max (W)
：2.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：38
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：28
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8.3
- Ciss Typ (pF)
：1118
- Package Type
：SOT-223-4/TO-261-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
SOT-223 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-223 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT223 |
34906 |
ONSEMI/安森美全新特价FDT86102LZ即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1822+ |
SOT-223 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
FAIRCAHIL |
14+ |
SOT-223 |
12 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT-223 |
86764 |
原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
505245 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
24+ |
N/A |
7417 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/FAIRCHILD |
23+ |
SOT-223-4 / TO-261-4 |
28000 |
原装正品 |
询价 |
