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FDS8638中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,18A,4.3mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS8638

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,18A,4.3mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 23:01:00

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FDS8638规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•VGS = 10 V,ID = 18 A时,最大rDS(on) = 4.3 mΩ
•VGS = 4.5 V,ID = 16 A时,最大rDS(on) = 5.4 mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Synchronous Rectifier
• Load Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS8638

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :18

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :5.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4.3

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :10

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :27

  • Ciss Typ (pF)

    :4270

  • Package Type

    :SOIC-8

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