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FDS86140中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,11.2A,9.8mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS86140

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,11.2A,9.8mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 23:01:00

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FDS86140规格书详情

描述 Description

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产,该工艺已针对rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化。

特性 Features

•VGS = 10 V且ID = 11.2 A时,最大rDS(on) = 9.8 mΩ
•在VGS = 6 V且ID = 9 A时,最大值rDS(on) = 16 mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•广泛使用的表面贴装封装中的高功率和高电流处理能力。
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• 配电
• DC/DC Converters
• Off-line UPS
• Distributed Power Architectures and VRMs
• Primary Switch for 24V and 48V Systems
• High Voltage Synchronous Rectifier

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS86140

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :11.2

  • PD Max (W)

    :5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :9.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :16.5

  • Ciss Typ (pF)

    :1940

  • Package Type

    :SOIC-8

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