FDS86140中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,11.2A,9.8mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS86140规格书详情
描述 Description
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产,该工艺已针对rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化。
特性 Features
•VGS = 10 V且ID = 11.2 A时,最大rDS(on) = 9.8 mΩ
•在VGS = 6 V且ID = 9 A时,最大值rDS(on) = 16 mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•广泛使用的表面贴装封装中的高功率和高电流处理能力。
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• 配电
• DC/DC Converters
• Off-line UPS
• Distributed Power Architectures and VRMs
• Primary Switch for 24V and 48V Systems
• High Voltage Synchronous Rectifier
技术参数
- 制造商编号
:FDS86140
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:100
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:11.2
- PD Max (W)
:5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:9.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:16.5
- Ciss Typ (pF)
:1940
- Package Type
:SOIC-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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FAIRCHILD/仙童 |
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ON/安森美 |
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SOP8 |
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ON/安森美 |
24+ |
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