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FDS8840NZ中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,18.6A,4.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS8840NZ

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,18.6A,4.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 23:01:00

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FDS8840NZ规格书详情

描述 Description

FDS8840NZ设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合,在保持卓越开关性能的同时,提供了最低的rDS(on)。

特性 Features

•VGS = 10 V,ID = 18.6 A时,最大rDS(on) = 4.5 mΩ
•VGS = 4.5 V,ID = 14.9 A时,最大rDS(on) = 6.0 mΩ
•HBM静电放电保护等级 = 6 kV典型值 (注3)
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)和快速开关
•高功率和高电流处理能力
•终端是符合RoHS标准的无铅产品

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Synchronous Buck for Vcore and Server
• Notebook Battery Pack
• Load Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS8840NZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :18.6

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :6

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :54

  • Ciss Typ (pF)

    :5665

  • Package Type

    :SOIC-8

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