FDS8876中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,12.5A,8.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS8876规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。
特性 Features
•RDS(ON) = 8.2 mΩ @ VGS = 10V @ ID = 12.5A
•RDS(ON) = 10.2mΩ @ VGS = 4.5V @ ID = 11.4A
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•低栅极电荷
•高功率和高电流处理能力
• RoHS Compliant
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC/DC Converters
技术参数
- 制造商编号
:FDS8876
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:30
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:2.5
- ID Max (A)
:12.5
- PD Max (W)
:2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:10.2
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:8.2
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:12
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:15
- Ciss Typ (pF)
:1650
- Package Type
:SOIC-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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