首页>FDS89161LZ>规格书详情
FDS89161LZ中文资料双 N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，2.7A，105mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS89161LZ规格书详情
描述 Description
本 N 沟道逻辑电平 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产，该工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而特别定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
特性 Features
•屏蔽栅极 MOSFET 技术
•最大值 rDS(on) = 105 mΩ (VGS = 10 V, ID = 2.7 A)
•最大值 rDS(on) = 160 mΩ (VGS = 4.5 V, ID = 2.1 A)
•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
•CDM ESD 保护等级为：典型值>2 KV（注释 4）
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 消费型设备
• DC-DC Conversion
技术参数
- 制造商编号
：FDS89161LZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2.2
- ID Max (A)
：2.7
- PD Max (W)
：2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1:160.0
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1:105.0
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.1
- Ciss Typ (pF)
：227
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOP-8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOP-8 |
54658 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
2023+ |
SOP8 |
12300 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOP8 |
33500 |
全新进口原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOP-8 |
7000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
SOIC-8_150mil |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
MAXIM |
24+ |
SOT23 |
8500 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOP-8 |
505020 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 |
