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FDS89161LZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDS89161LZ

功能描述

双 N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100 V,2.7A,105mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 20:16:00

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FDS89161LZ规格书详情

描述 Description

本 N 沟道逻辑电平 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产,该工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而特别定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。

特性 Features

•屏蔽栅极 MOSFET 技术
•最大值 rDS(on) = 105 mΩ (VGS = 10 V, ID = 2.7 A)
•最大值 rDS(on) = 160 mΩ (VGS = 4.5 V, ID = 2.1 A)
•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
•高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装
•CDM ESD 保护等级为:典型值>2 KV(注释 4)
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 消费型设备
• DC-DC Conversion

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS89161LZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.2

  • ID Max (A)

    :2.7

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1:160.0

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1:105.0

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :2.1

  • Ciss Typ (pF)

    :227

  • Package Type

    :SOIC-8

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