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FDS8958A_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDS8958A_F085

功能描述

双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FDS8958A_F085规格书详情

描述 Description

这些双通道N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

特性 Features

• Q1:N沟道
•7.0 A、30 V、RDS(ON) = 0.040Ω(VGS = 4.5 V) Q2:P-沟道
•快速开关速度
•采用广泛使用的表面贴装封装,具有高功率和高电流处理能力
•符合 AEC Q101 标准
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS8958A_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :Complementary

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :±30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :±3

  • ID Max (A)

    :N: 7.0

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :N: 40

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :N: 28

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :9.6

  • Ciss Typ (pF)

    :N: 575

  • Package Type

    :SOIC-8

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