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FDS8958A_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V 这些双通道N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 • Q1：N沟道\n•7.0 A、30 V、RDS(ON) = 0.040Ω(VGS = 4.5 V) Q2：P-沟道\n•快速开关速度\n•采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力\n•符合 AEC Q101 标准\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDS8958A-F085	文件：543.09 Kbytes Page：8 Pages	丝印：FDS8958A；Package：SO-8；Dual N & P-Channel PowerTrench횘 MOSFET 文件：543.09 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDS9435A	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHIL SOP8	FAIRCHIL 上传：深圳市瑞卓芯科技有限公司	FAIRCHIL
FDS9435A	文件：0 bytes Page：0 Pages	FSC SOP8	FSC 上传：深圳市瑞卓芯科技有限公司	FSC
FDSD0420-H-100M=P3	文件：0 bytes Page：0 Pages	Murata 1515	MuRata 村田上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	MuRata

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
Complementary
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
±30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
±3
ID Max (A)：
N
PD Max (W)：
2
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
N
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
N
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
9.6
Ciss Typ (pF)：
N
Package Type：
SOIC-8

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