FDS8958A数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

这些双通道N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

特性 Features

•Q1： N沟道7.0A，30VRDS(ON) =0.028 Ω @ VGS =10 VRDS(ON)=0.040 Ω @ VGS = 4.5 V
•Q2： P沟道-5A，-30V RDS(ON) = 0.052 Ω @ VGS = -10 V RDS(ON) = 0.080 Ω @ VGS = -4.5 V
•快速开关速度
•高功率和处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.