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FR606	文件：57.87 Kbytes Page：2 Pages	6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER Features ●LowReverseRecoveryTime ●LowReverseCurrent ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●PlasticMaterial:ULFlammability ClassificationRating94V-0	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FR606	文件：62.28 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIER VOLTAGERANGE:50---1000VCURRENT:6.0A FEATURES ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highcurrentcapability ◇EasilycleanedwithFreon,Alcohol,Isopropanol andsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
FR606	文件：66.64 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPFASTRECOVERYRECTIFIERS VOLTAGERANGE50TO1000VoltsCURRENT6.0Amperes FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	UNIOHMUniohm 台湾厚声	UNIOHM
FR606	文件：223.13 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMP.FastRecoveryRectifiers Features ◇Highefficiency,LowVF ◇Highcurrentcapability ◇Highreliability ◇Highsurgecurrentcapability ◇Lowpowerloss.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
FR606	文件：841.85 Kbytes Page：3 Pages	FastRecoveryRecitifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
FR606	文件：59.02 Kbytes Page：2 Pages	6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FR606	文件：101.25 Kbytes Page：6 Pages	AxialLeadedFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FR606	文件：98.54 Kbytes Page：2 Pages	6.0AFASTRECOVERYDIODE Features ●DiffusedJunction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
FR606	文件：535.03 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS FEATURES ◆TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◆Fastswitchingforhighefficiency ◆Lowreverseleakage ◆Highforwardsurgecurrentcapability ◆Hightemperaturesolderingguaranteed: 250°C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlength,	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
FR606	文件：434.35 Kbytes Page：3 Pages	FastRecoverySiliconRectifiers	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

详细参数

型号：
FDM606P_Q
功能描述：
MOSFET P-Ch Power Trench Logic Level 1.8V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿顺芯科技有限公司	FDM606PMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	2022+	原厂原封	57550		询价
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