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AWCCA-50N50	文件：1.18956 Mbytes Page：2 Pages	WirelessChargingCoilAssembly	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
FDA50N50	文件：497.93 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features •48A,500V,RDS(on)=0.105Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical105nC) •LowCrss(typical45pF) •Fastswitchin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDA50N50	文件：1.29832 Mbytes Page：3 Pages	50Ampere,500VoltN-ChannelPlanarProcessPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
FDA50N50	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDA50N50	文件：276.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDA50N50	文件：222.62 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDH50N50	文件：222.62 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDH50N50	文件：1.20397 Mbytes Page：3 Pages	50Ampere,500VoltN-ChannelPlanarProcessPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
FDH50N50	文件：299.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFE50N50	文件：655.77 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFET HiPerFETPowerMOSFET SingleDieMOSFET Features •Lowcostdirect-copperbondedaluminiumpackage •EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification •2500Visolation •Lowdraintocasecapacitance •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK50N50	文件：121.87 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFET HiPerFET™PowerMOSFET SingleDieMOSFET Features •Internationalstandardpackages •Encapsulatingepoxymeets UL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitride isolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Unc	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK50N50	文件：327.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFN50N50	文件：121.87 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFET HiPerFET™PowerMOSFET SingleDieMOSFET Features •Internationalstandardpackages •Encapsulatingepoxymeets UL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitride isolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Unc	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFQ50N50	文件：311.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=125mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFR50N50	文件：84.72 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET-TMPowerMOSFETsISOPLUS247-TM HiPerFET™PowerMOSFETsISOPLUS247™(ElectricallyIsolatedBackSurface) SingleDieMOSFET Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFX50N50	文件：94.62 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFX50N50	文件：366.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTE50N50	文件：391.54 Kbytes Page：7 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTORN-CHANNELENHANCEMENTMODESILICONGATETMOS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDH50N50其他被动元件供应商更新时间2024-6-6 17:18:00

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