Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

General Description This P -Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 8V). Features · –8 A, –20 V. RDS(ON) =

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FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-8A，24mΩ

此P沟道2.5V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对栅极驱动电压范围(2.5V – 8V)广泛的功率管理应用进行了优化 •-8.0 A，-20 V\n•RDS(on) = 24 mΩ @ VGS = -4.5V\n•RDS(on) = 32 mΩ @ VGS = -2.5V\n•低栅极电荷（26nC，典型值）\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力;

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安森美半导体

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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